近日，湖北省铁路发展基金有限责任公司参与投资的安徽长飞先进半导体有限公司与武汉东湖高新区管委会签署了第三代半导体功率器件研发生产基地合作协议。

长飞先进半导体专注于碳化硅(SiC)功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。

长飞先进半导体武汉基地开工仪式于9月在武汉新城举行，项目位于光谷科学岛，总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆。一期项目预计2025年建设完成，届时长飞先进半导体武汉基地将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，产能规模将居行业领先地位。

投资长飞先进半导体，是基金公司坚决贯彻落实省委省政府决策部署，大力支持国家科技创新和产业转型升级，推动湖北经济发展的重要举措。

据了解，基金公司于7月出资参与了长飞先进半导体A轮融资，此次融资规模创国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最，刷新了2023年以来半导体私募股权融资市场单笔最大融资规模记录。